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Area/Room:
 NameDescriptionManufacturerModelResponsible group
View µRaman / µPL Horiba Jobin YvonLABRamCMNF - Croissance et caractérisations avancées
View 3D printer CKABMakerBot Replicator 2X 3DCMNF - Intégration
View AFM Bioscope VeecoBioscopePCP - Domaine AIR
View AFM Dimension VeecoDimension 3100PCP - Domaine AIR
View AFM Edge BrükerEdgeCMNF - Caractérisation In-Line
View AFM Icon BrukerIconPCP - Domaine AIR
View AFM Multimode VeecoMultimodePCP - Domaine AIR
View AFM SMART BruckerA définirCARAC - DC/BF/MEMS
View AFM/SEM IEMNAFM/SEMPCP - Domaine AIR
View ALD Beneq_autres

We can deposit the following materials : TiO2, Pt, HfO2, VN, Al2O3
 

BeneqTFS200CMNF - Dépôts chimiques
View ALD Beneq_oxynit BeneqTFS200CMNF - Dépôts chimiques
View ALD Picosun_oxynit PICOSUNR200 AdvancedD4 - CSAM
View Autoclave

Autoclave à couvercle amovible à fermeture rapide (ACAFR) permettant la stérilisation d’ustensiles et dispositifs, ainsi que l’inactivation des déchets biologiques sous forme liquides et solides.

Note : seules les personnes habilitées à manipuler les ACAFR peuvent lancer les cycles d’autoclave

Systecn.aPlate-forme L2
View B3 CVD empty TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Banc de photoconductivité IEMN1D1 - PHYSIQUE
View Banc KEITHLEY 2 Pointes Keithley3631BCMNF - Caractérisation In-Line
View Banc KEITHLEY 4 Pointes

Mesures I-V,résistances, diodes,...

keithley2612BCMNF - Caractérisation In-Line
View Banc opto DC HF (2)  Non renseignéNon renseignéCARAC Team
View Banc pulsé Keysight Technologiesà défCARAC - NonLinéaire
View Bati5 (RIE)

Applications

The tool is capable of etching silicon nitrides, silicon oxides, polysilicon, tungsten, tungsten silicide and various polymers (BCB, PMMA, PEDOT).

Principal specifications

  • RF (13.56 MHz) powered lower electrode (6 - 600 W)
  • Available gases: Ar, N2, O2, SF6, CF4, CHF3
  • Substrate temperature control
  • 240 mm diameter table allowing for 200 mm (8”) batch capacity.
  • Automatic RF matching network
  • Control by PC using Oxford PC2000 software
  • Endpoint detection through laser interferometry (JY Horiba hardware, in-house software “PlasmaScope”)
  • Continuous process datalogging
OIPT, UKPlasmaLab 80 PlusCMNF - Gravure
View Bati5 bis (RIE)

The tool is for etching thin (< 200 nm) layers of (poly)silicon, silicon nitrides and silicon oxides.

Other thin layers (e.g. graphene, graphene oxide, GaN) may also be etched if necessary.

The removal (ashing) of photoresist is not allowed ; use Bâti 5 or TEPLA (preferred).

Please follow the correct plasma cleaning procedure after etching (displayed beside the tool). 

 

OIPT, UKPlasmaLab 80 PlusCMNF - Gravure
View Boite à gants chimie PlasLabs Plas Labs855 ACD1 - NCM
View Boite à gants évaporateur/chimie MBraun MBraun MB-200B Modular Glove Box WorkstationD1 - NCM
View BonderSB6

Substrate bonder: SB6e Suss MicroTec

Vacuum anodic bonder

The KS Bonder is a semi-automatic, computer-controlled, stand-alone substrate bonder equipped with a vacuum/pressure chamber and a loading arm. The machine processes aligned and unaligned wafers, substrates and chips. The alignment accuracy of this tool is listed as being 3 μm (3 σ ). All bonding pair alignment is done on the BA6 tool , the substrate stacks are mechanically clamped using the transport fixture, and then transported and bonded in the SB6 chamber.

For aligned and unaligned wafers using thermo-compression, anodic, fusion, adhesive or any related bond technology.

SUSS MICROTECSB6eCMNF - Lithographie
View Bonding machine LOGITECHSingle wafer bonder unitCMNF - Intégration
View Caméra IR Quantum Focus InstrumentsMWIR-512CARAC - NonLinéaire
View Carbolite CarboliteTZF 12/100/900CMNF - Thermique et Implantation
View Cathodoluminescence Non renseignéNon renseignéCMNF - Caractérisation In-Line
View Cell culture

Cette ressource comporte tous les équipements nécessaires à la culture cellulaire :

-Un poste de sécurité microbiologique de type II (PSM II, Thermo Scientific MSC advantage) qui est une enceinte permettant de manipuler des échantillons biologiques en garantissant la sécurité de l’utilisateur et de l’environnement, et de travailler en conditions stériles

-Une étuve CO2 (Memmert), élément central en culture cellulaire, puisqu’elle permet de maintenir des cultures cellulaires dans des conditions adéquates de température (37°C) et d’atmosphère (environnement à 5% de CO2)

-Une centrifugeuse ()VWR, Mega Star 600R) et un bain-marie (Grand, JB Nova 12) : utilisé lors de l’entretien des lignées cellulaires

-Des outils de contrôle : microscope inversé Leica DMi1, pour le contrôle de prolifération cellulaire ainsi qu’un compteur de cellules (Life Technologies Countess II)

n.an.aPlate-forme L2
View Cluster CT200 P1 Alliance ConceptCT200CMNF - Dépôts physiques
View Cluster CT200 P2 Alliance ConceptCT200CMNF - Dépôts physiques
View Cluster CT200 P3 Alliance ConceptCT200CMNF - Dépôts physiques
View CMP ALPSITECE460CMNF - Intégration
View CRYO DC et EFFET HALL A DEFA DEFCARAC - DC/BF/MEMS
View CVD Graphene jipelecJetfirst100FCMNF - Croissance et caractérisations avancées
View CVD Nanowire growth MPA MPAMPA CMNF - Dépôts chimiques
View Dépot Parylene - bati C20S ComelecC20SCMNF - Dépôts chimiques
View Digidrop Contact Angle GBX InstrumentsDigidropD1 - NCM
View Double enceinte sous vide

Double enceinte sous-vide permettant par exemple la caractérisation de MEMS jusque 300°C

Non renseignéNon renseignéCARAC - DC/BF/MEMS
View DRX PANalyticalMRD X’Pert ProCMNF - Croissance et caractérisations avancées
View Dry film laminator  BungardRLM419PCMNF - Intégration
View E-beam B010

EBPG5000Plus is an Electron Beam Lithography tool. It is capable of writing features smaller than 10nm and placing

structures on a substrate with an accuracy of less than 20nm.

Some of the key specifications are outlined in the following:

  • 20, 50 and 100keV Thermal Field Emission Gun
  • High Resolution Gaussian Beam System
  • 50MHz Intelligent Pattern Generator
  • 1.25nm minimum pixel size
  • Robust Direct Write Mark Detection & Alignment Software
  • 10 positions load lock for batch processing of multiple substrates
  • Holders for 50mm, 75mm, 100mm wafers, 4 and 5” masks and smaller piece parts
  • Housed in a custom clean-room which maintains a temperature of 21°C ± 0.1°C
  • Overlay and stitching better than 30nm
RAITHEBPG 5000 PLUSCMNF - Lithographie
View E-beam B028

EBPG5000Plus is an Electron Beam Lithography tool. It is capable of writing features smaller than 10nm and placing

structures on a substrate with an accuracy of less than 20nm.

Some of the key specifications are outlined in the following:

  • 20, 50 and 100keV Thermal Field Emission Gun
  • High Resolution Gaussian Beam System
  • 50MHz Intelligent Pattern Generator
  • 1.25nm minimum pixel size
  • Robust Direct Write Mark Detection & Alignment Software
  • 10 positions load lock for batch processing of multiple substrates
  • Holders for 50mm, 75mm, 100mm wafers, 4 and 5” masks and smaller piece parts
  • Housed in a custom clean-room which maintains a temperature of 21°C ± 0.1°C
  • Overlay and stitching better than 30nm
RAITHEBPG 5000 PLUSCMNF - Lithographie
View Electrolyse Au RENA RENARENACMNF - Dépôts physiques
View Electrolyse Cu RENA RENARENACMNF - Dépôts physiques
View Ellipso AutoSE

AutoSE spectroscopic ellipsometry 

(wavelength 440-1000 nm): automatic and rapid acquisitions. XYZ table for mapping of samples up to 200x200 mm². Spot size down to 25 μm x 60 μm.

Jobin Yvon AutoSECMNF - Caractérisation In-Line
View ESERIES Laser Ablation OxfordLaserESERIESCMNF - Intégration
View Estrelas (DRIE) OIPT, UKOXFORD Estrelas PlasmaLab Pro 100CMNF - Gravure
View Evaporation effet Joule MEB 450S

MEB 450S

1 - Pd

2 - In

3 - Ge

PlassysMEB 450SCMNF - Dépôts physiques
View Evaporation MEB 550S (2005-Bâti I) (Ti, Ni, Au, Al, Ge, Mo, Pt, Ag) PlassysMEB 500SCMNF - Dépôts physiques
View Evaporation MEB 550S (Tilt -2008-bâti II) (Ti, Ni, Au, Au, Cr, Mo, Pt, Pd) PlassysMEB 550SCMNF - Dépôts physiques
View Evaporation MEB 550SL (libre-service-2018) (Ti, Ni, Au, Al, Ge, Cr, Pd, Pt) PlassysMEB 500SLCMNF - Dépôts physiques
View Flood Deep UV  OAIDeep UV 240 nmCMNF - Lithographie
View FSM contraintes FSMTC500CMNF - Caractérisation In-Line
View FTIR spectrometer Perkin Elmer  Perkin Elmer System 2000D1 - NCM
View Furnace Module 5 left MemertMemertCMNF - Lithographie
View Furnace Module 5 right MemertMemertCMNF - Lithographie
View Furnace Module 6 MemertMemertCMNF - Lithographie
View Gravure HF vapeur SPTS-PRIMAXXµetch moduleCMNF - Gravure
View Grinder G&NMPS2R300CMNF - Intégration
View Hall Effect NanometricsHL5500CMNF - Croissance et caractérisations avancées
View Impédancemètre HP4294A HP4294ACARAC Options
View Implanteur

EATON-AXCELIS GA 3204 is a medium current reactor. The possibility to use the materials in different states (gases, salts, metals and liquids) makes this equipment the unique tool in France because of its capability to implant very large range of the chemical species. In the standard mode, it is possible to implant the chemical species from 20kEv to 200 kEv. Recently, the implanter was equipped with deceleration module that makes possible the low energy implantation from 3kEv to 20kEV. One can perform the implantation at different angles to the substrate for 3D structures and with rotated samples and in the wide temperature range, from -10°C to 300°C. The implantation is often followed with the rapid thermal annealing to recover the crystal damage. Two RTA plates are using: Jipelec JetStar 100S and Anealsys One with the max temperature up to 1200°C. The implantation and the annealing are realized by a technician and SRIM simulation by an engineer. No possible “free” using for this tool.

Eaton-Axcelis, USAGA3204CMNF - Thermique et Implantation
View Impression Jet d'encre CERADROPCERAPRINTER X-seriesCMNF - Dépôts physiques
View JSERIES Laser Ablation OxfordLaserJSERIESCMNF - Intégration
View Keithley - Pulsé Keithley4200-SCSCARAC Options
View Keithley Statique Keithley4200-SCSCARAC Options
View KOH Bench Chemical benchChemical benchCMNF - Dépôts chimiques
View Laser FEMTO - Pompe-sonde Spectra-PhysicsMAI-TAIAccueil Renatech
View Laser Femtoseconde Spectra-PhysicsMAI-TAI HPPCP - Domaine UHV
View Leica DMi8

 Ce microscope permet de faire des acquisitions en contraste de phase et épi-fluorescence. Il est doté d’une platine motorisée X,Y et Z. Le système de maintien de focus (Adaptative Focus Control, AFC) permet des acquisitions longue durée sans dérive de focus dans le temps. L’enceinte environnementée contrôlée en température et CO2, permet l’imagerie en temps réel de dispositifs éventuellement couplés à la microfluidique.

LeicaLeica DMi8Plate-forme L2
View Manips diverses 1 Non renseignéNon renseignéCARAC Team
View Manips diverses 2 Non renseignéNon renseignéCARAC Team
View Mask Aligner (left) SUSS MICROTECMA6/BA6CMNF - Lithographie
View Mask Aligner (right) SUSS MICROTECMA6/BA6CMNF - Lithographie
View MBE C21 Gaz RIBERC21 TMCMNF - Croissance et caractérisations avancées
View MBE Graphène / BN RIBERC21SCMNF - Croissance et caractérisations avancées
View MEB instrumenté (Nanoprober/SMM) TESCANA définirCARAC - Nanocaractérisation
View Megasonic cleaning SPSMegasonic CMNF - Intégration
View Meyer Burger IonSys 500 (RIBE)

In Ion Beam Etching (IBE), also known as Ion Beam Milling (IBM), an inert ion beam is used for pure physical sputtering of the sample material. This technique is commonly used for structuring metals or other materials which are not accessible to chemical etch processes. Reactive Ion Beam Etching (RIBE) uses reactive process gases to generate a reactive ion beam. Physical and chemical etch components and related selectivities may be easily varied by the energy of the ion beam. Finally Chemically Assisted Ion Beam Etching (CAIBE) uses an inert ion beam in a reactive gas background. Here the ions drive surface reactions with the absorbed reactive species. Based on these process features, ion beam etching might serve applications difficult to be addressed by common etch technologies. 

Generally ion beam milling is applied for materials which may not be etched on a chemical basis, like most metals used in MEMS manufacturing. As a second important feature, one may utilize the directed ion flux and the angle dependence of the milling rate. This way defined and/or variable side wall angles in microstructures may easily be generated. Also, by choosing a specific ion incident angle, process rates and selectivity may be optimized.

Meyer Burger, DIonSys 500CMNF - Gravure
View Microfluidic bench 1

La prestation poste microfluidique n°1 correspond à une zone de travail disponible. La paillasse comprend :

-un mini-incubateur CO2, permettant de maintenir des micro-dispositifs en environnement de température et de concentration en CO2 contrôlé

-des systèmes d’actuation fluidique : pousse seringue, contrôleur en pression, mesureur de débit, mesureur de pression…) ainsi qu’un PC de contrôle pour l’automatisation des expériences

n.an.aPlate-forme L2
View Microfluidic bench 2

La prestation poste microfluidique n°2 correspond à une zone de travail disponible. La paillasse comprend :

-un mini-incubateur CO2, permettant de maintenir des micro-dispositifs en environnement de température et de concentration en CO2 contrôlé

-des systèmes d’actuation fluidique : pousse seringue, contrôleur en pression, mesureur de débit, mesureur de pression…) ainsi qu’un PC de contrôle pour l’automatisation des expériences

n.an.aPlate-forme L2
View Microfluidic bench 3

La prestation poste microfluidique n°3 correspond à une zone de travail disponible. La paillasse comprend :

-un mini-incubateur CO2, permettant de maintenir des micro-dispositifs en environnement de température et de concentration en CO2 contrôlé

-des systèmes d’actuation fluidique : pousse seringue, contrôleur en pression, mesureur de débit, mesureur de pression…) ainsi qu’un PC de contrôle pour l’automatisation des expériences

 Le poste microfluidique n°3 comprend également un poste de mesure électrique, de type station sous pointe et impédance mètre

n.an.aPlate-forme L2
View Micro-soudeuse K&S 4500 KULICKE & SOFFA45800 serieCMNF - Intégration
View Micro-soudeuse WB 100 JFPWB 100CMNF - Intégration
View Napson NAPSONNC-10CMNF - Caractérisation In-Line
View Navigator 8

Asher tool.

Gases: O2 (500 sccm), CF4 (10 sccm), N2 (50 sccm)

Power: 13.56 MHz, 1000 W

Pressure: 50 - 1000 mTorr

Chamber heating: 20 - 250 °C

Chuck heating: 20 - 250 °C

Plasma-ThermNavigator 8CMNF - Gravure
View NVNA Keysight TechnologiesN5245ACARAC - NonLinéaire
View Olympus IX71

Ce microscope est doté d’une caméra rapide de haute sensibilité, il permet de faire de la microscopie en contraste de phase et épi-fluorescence. Il est également doté d’une platine chauffante et motorisée en X,Y.

OlympusIX71Plate-forme L2
View Optical profiler BrukerContour GT XCMNF - Intégration
View Organic chemistry Lab RoomBenchesCMNF - Dépôts chimiques
View Oxford ICP Ch1 (ICP-RIE)

One of two chambers on the Oxford Plasmalab System 100 cluster. 

This chamber has the following gases available: Ar, CH4, Cl2, H2, O2, SF6

It is mainly for etching InP, InGaAsP, InGaAs, ...

The electrode can be actively cooled (min 0 °C) and actively heated (max 100 °C)

OIPT, UKICP PlasmaLab 100CMNF - Gravure
View Oxford ICP Ch2 (ICP-RIE)

One of two chambers on the Oxford Plasmalab System 100 cluster. 

This chamber has the following gases available: Ar, BCl3, Cl2, O2, SF6

It is mainly for etching GaAs, AlGaAs, GaN...

The electrode can be actively cooled (min 0 °C) (no heating). 

OIPT, UKICP PlasmaLab 100CMNF - Gravure
View PCR

La PCR est une technique d’amplification enzymatique in vitro, permettant à partir d’un fragment d’ADN d’obtenir un grand nombre (plusieurs millions) de copies identiques de ce même fragment. La qPCR (PCR quantitative), permet de détecter, de caractériser et de quantifier l’ADN dans de nombreuses applications. L’appareil à disposition est un appareil de qPCR (PCR Biorad CFX connect) qui permet de suivre en temps réel le processus d’amplification PCR.

BioradCFX connectPlate-forme L2
View PECVD Bati3

Silicon Oxyde, Silicon Nitride and Oxynitride deposition by PECVD. Film stress can be controlled by high / low frequency mixing techniques. Temperature range : 20°C --> 350°C. . hickness : 5nm to 3µm. Uniformity : 3% on 6 inches wafers.

Oxford InstrumentsPlasmalab80PlusCMNF - Dépôts chimiques
View Pick-and-place JFPPP6 Flexible Rework stationCMNF - Intégration
View PICO Diner Electronic GmbHDiener PicoCMNF - Gravure
View Piegeage optique Non renseignéNon renseignéCARAC Team
View Polisseuse LOGITECH LOGITECHPM5CMNF - Intégration
View Profilomètre alphastep 500 TencorAlphastep 500CMNF - Caractérisation In-Line
View Profilomètre alphastep IQ TencorAlphastep IQCMNF - Caractérisation In-Line
View Profilomètres Bruker

Mesures de hauteur de 10nm à 1mm.

Utilisable après formation par le tuteur techno de l'équipe.

 

Brukerdektak xtCMNF - Caractérisation In-Line
View Pulvé 4" gauche

Pulvérisation DP650 N°34- 4" gauche

1 - SiO2
2 - Al
3 - AlN
4 - W
5 - TiC
6 - Si

Alliance ConceptDP650 N°34CMNF - Dépôts physiques
View Pulvé 6" droite

Pulvérisation DP650 N°24-6" droite

1 - Ti

2 - Cu

3 - Au

4 - Al

Alliance ConceptDP650 N°24CMNF - Dépôts physiques
View RC8 Ebeam Module 6 SUSS MICROTECRC8CMNF - Lithographie
View RC8 Opt Module 3 SUSS MICROTECRC8CMNF - Lithographie
View RC8 Opt Module 5 SUSS MICROTECRC8CMNF - Lithographie
View RCD8 dedicated process Module 7 SUSS MICROTECRCD8CMNF - Lithographie
View RCD8 Ebeam Module 5 SUSS MICROTECRCD8CMNF - Lithographie
View RCD8 Opt module 4 SUSS MICROTECRCD8CMNF - Lithographie
View Reflectometer MicropackNanocalc 2000-UV-IRCMNF - Lithographie
View Réflectomètre 6 ports Home madehome madeCARAC - Hyperfréquences
View RF1(Cluster CT200) Alliance ConceptRF1 CT200CMNF - Dépôts physiques
View RF2(Cluster CT200) Alliance ConceptRF2 CT200CMNF - Dépôts physiques
View RTA AnealSys AnnealSys, FRAAnnealSys AS-ONECMNF - Thermique et Implantation
View RTA Jipelec III-V JipelecJetfirst 200CMNF - Thermique et Implantation
View RTA Jipelec implanteur JipelecJipelec JetStar100SCMNF - Thermique et Implantation
View Sawatec module 4 SawatecHP200 HMDSCMNF - Lithographie
View Sawatec module 7 SawatecHP200 HMDSCMNF - Lithographie
View Sawatec module 7bis SawatecHP300CMNF - Lithographie
View Scie ADT 7100 ACCELONIXADT 7100CMNF - Intégration
View Sécheur CO2 supercritique sc fluidsSécheur SC fluidsCMNF - Gravure
View SEMILAB

Non contact plateform. Samples inspection, quality control, process monitoring. Solar cell characterization. Minority Carrier life time. LBIC. Non-contact resistivity (eddy current).

SEMILABWT-2000PVNCMNF - Caractérisation In-Line
View Sentech (ICP-RIE)

Available process gases:

Gas name Max Flow (sccm)
SiCl4 50
BCl3 200
Cl2 100
HBr 100
SF6 500
CF4 200
CHF3 200
CH4 100
H2 100
N2 50
Ar 50
He 50
O2 50
  • Other gases:
  • He (for wafer backside cooling)
  • N2 (for system venting)
Sentech GmbH, DSENTECH SI 500CMNF - Gravure
View SMM Keysight KeysightSMM 40 GHzCARAC - Nanocaractérisation
View SNOM MIR THz NeaspecNeaspec CARAC - Nanocaractérisation
View SPM Omicron VT OmicronVT-AFM/STMPCP - Domaine UHV
View SPM SPECS JT SPECSJT-SPMPCP - Domaine UHV
View Station 110GHz A DEFA DEFCARAC - Hyperfréquences
View Station 26.5GHz Multiports Keysight Technologiesà défCARAC - NonLinéaire
View Station 300-750GHz A DEFA DEFCARAC - Millimétrique THz
View Station flex Hirox ..CARAC - Hyperfréquences
View Station haute tension Keysight TechnologiesB1505ACARAC - DC/BF/MEMS
View Station IV ..CARAC - DC/BF/MEMS
View Station Korigan 67 GHz A DEFA DEFCARAC - Hyperfréquences
View STATION PM5 A DEFA DEFCARAC - Hyperfréquences
View Station PM8 140-300 GHz à définirà définirCARAC - Millimétrique THz
View Station PM8 Tuner WR10 ..CARAC - Millimétrique THz
View Station sous vide ..CARAC - DC/BF/MEMS
View STM Omicron LT

Low-Temperature Scanning Tunneling Microscope

Surface imaging down to the atomic scale.

Electrical testing on surfaces or nanostructures with atomic precision and ultra-low drift rate (<10pm/h).

All modes of operation compatible with low temperature down to 4K.

OmicronLT-STMPCP - Domaine UHV
View STM Omicron Nanoprobe OmicronNanoprobePCP - Domaine UHV
View STM Omicron RT OmicronRT-STM1PCP - Domaine UHV
View Supra55VP ZEISSsupra55VPCMNF - Caractérisation In-Line
View Table Optique / HF /Espace libre A DEFA DEFCARAC - Millimétrique THz
View TEPLA (Stripping, ashing)

Applications

  • Photoresist stripping
  • Surface cleaning after storage
  • Surface cleaning after processes (photolithography, wet etching dry etching)
  • Removal of organic passivating layers and masks
  • Resist descum process
PVA TePla AG, DPVA Tepla 300 semi autoCMNF - Gravure
View Through-hole Copper Plating Line BungardCompacta 30 ABCCMNF - Intégration
View TMAH Bench Chemical benchChemical benchCMNF - Dépôts chimiques
View Tube A1 Thermal Oxidation TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Tube A2 Doped Poly process TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Tube A3 LTO BPSG TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Tube B1 Thermal oxidation TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Tube B2 OxiNitride  TempressTS6303-4CMNF - Dépôts chimiques
View Ultra55 ZeissUltra55CMNF - Caractérisation In-Line
View UV Laser KLOEDILASE 650CMNF - Lithographie
View UV/ozone cleaner JelightModel 42D1 - NCM
View UV-Vis Spectrometer Perkin Elmer Perkin ElmerLambda 800D1 - NCM
View Wafer Scriber / Breaker JFP MicrotechnicModel 100CMNF - Intégration
View Vibromètre Polytec MSA 500 PolytecMSA 500CARAC - DC/BF/MEMS
View XeF2 Xactix, USAXetch Xactix X3BCMNF - Gravure
View XPS (ESCA) Physical Electronics5600CMNF - Croissance et caractérisations avancées
View ZTest tool

Lite test-text

TestbolagetACMNF - Caractérisation In-Line
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