Dépôts de SiO2, SiN, SiN sans NH3, a-Si:H et SiO2 par TEOS.

Contrôle des contraintes par adaptation de hautes et basses fréquences.

Changement de la temperature de dépôt sur demande (80-350°C).

Configuration standard : 100mm, 150mm sur demande

Chargement automatique depuis le SAS

Epaisseur max: 5 µm. 

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Silicon oxide, silicon nitride (with and without NH3), amorphous silicon, siilicon oxide by TEOS deposition by PECVD.

Film stress can be controlled by high / low frequency mixing techniques.

Deposition temperature change on request (80-350°C).

Standard configuration : 100mm, 150 mm on request

Automatic Loading from loadlock

Thickness max : 5 µm.